WU MIN SHIN

STI = Shallow Trench Isolation

顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空乏區)，當P+跟N+的面積太大時，depletion region也會跟著變大，會造成chip size依舊很大，為了解決這樣的問題，在近幾年先進製程下，STI的作法就可以解決中間的depletion region過大的問題。

延伸：LOCOS與STI的不同?

LOCOS = LOCal Oxidation of Silicon

早期製程都是用LOCOS當作解決depletion region過大的方法，但近代主流製程皆採用STI，原因在於LOCOS會有bird's break的問題，會入侵到P+ or N+更甚者會造成應力效應毀壞整個CMOS元件。

引用資訊：

http://www.aicdesign.org/SCNOTES/2010notes/Lect2UP030_%28100324%29.pdf

http://www.ndl.narl.org.tw/web/research/index.php